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测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源

产品时间:2020-11-06

简要描述:

测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源 静态参数I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格;
同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比;

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 测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源

测试种类及参数

 

  1. Diode支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降;

 

  1. MOSFET支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 静态参数:BVDSS/漏源极击穿电压,VGS(th)/栅极开启电压,IDSS漏源极漏电流、VF/二极管正向压降;Rdson 内阻

 

  1. IGBT单管及模块支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅极漏电流

六、 测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源参数指标

 

1、设备概述

 

1.1

设备数量

1套

 

1.2

设备功能

测试功率半导体器件静态参数

 

1.3

设备组成

设备包含硬件模块和软件模块两大部分

 

1.4

硬件模块

设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等

 

1.5

软件模块

设备软件部分应包括:

1.操作系统、备份、保存、编辑、上传等基本功能;

2.图形化操作界面;

3.输出EXCEL、word版测试报告

4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度

5.I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格;

6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比;

2、设备尺寸

 

2.1

设备总体长度

≤   500mm

 

2.2

设备总体宽度

450mm

 

2.3

设备总体高度

300mm

3、技术指标

3.1

机台可测试器件类型

二极管、MOSFET、IGBT单管及模组

3.2

机台可测IGBT项目

及测试范围

VGE(th)栅极阈值电压

VCES集射极截止电压

ICES集射极截止电流

VCE(sat)饱和导通压降

Iges栅极漏电流

VF二极管导通电压

可以测5000V,2000A以下的IGBT模块

3.3

机台可测MOS项目

Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)

3.4

 

VGE(th)栅极阈值电压测量范围

0.1~10V分辨率:0.001V

 

3.5

VGE(th)

测试条件与精度

VGE:0.1~10V±1%±0.01V;

集电极电流Ic:

10~50mA±1%±0.5mA;

3.6

VCES集射极截止电压测量范围

0~5000V 分辨率0.1V

 

3.7

VCES

测试条件与精度

集电极电流ICES:

0.01~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;

集电极电压VCES:

0-5000V±1%±2V;

3.8

ICES集射极截止电流测量范围

0.01~50mA 分辨率   0.001uA

 

3.9

ICES

测试条件与精度

集电极电压VCES:

50~500V±1%±1V;

500~5000V±1%±2V;

集电极电流ICES:

0.001~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;

 

3.10

VCE(sat)饱和导通压降测量范围

0.001~10V 分辨率 1mV

 

3.11

VCE(sat)

测试条件与精度

 

集电极电压VCEs:

0.001~10V±0.5%±0.001V

栅极电压Vge:

5~40V±1%±0.01V

集电极电流ICE:0-1600A

0~100A±1%±1A;

100~1600A±1%±1A;

3.12

Iges栅极漏电流

测量范围

0.01~10μA 分辨率   0.1nA

 

3.13

Iges

测试条件与精度

栅极漏电流IGEs:

0.01~10μA±2%±0.005μA

栅极电压Vge:

±1V~100V±1%±0.1V;

Vce=0V;

3.14

VF正向特性测试

测量范围

0.1~10V 分辨率   0.001V

 

3.15

VF正向特性测试

测试条件与精度

二极管导通电压Vf:

0.1~10V±1%±0.01V

电流IF:

0~100A±2%±1A;

100~1600A±1%±2A;

    

 

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