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IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪

产品时间:2020-11-05

简要描述:

IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪 场效应管耐压测试仪,完美的解决了用普通耐压表测场效应管静击穿的问题。能测场效应管,IGBT管,和普通管的耐压。

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IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪● 有不少用户来电询问有没有一种可以直接测量功率场效应管、IGBT管、可控硅等器件判断“电流"大小的仪器?     其实器件通过电流的大小的能力是:         
⑴、和器件芯片的面积成正比。即:芯片面积越大可以通过的电流就大,反之则小。         
⑵、和器件导通时的压降成反比。即:通态压降越小的管子就可以承受更大的通态电流。         
⑶、和器件的散热面积成正比。即:封装越大可承受的功耗和电流相对就大,反之则小。   
● 
IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪这三个因素直接关系到器件输出电流能力的大小;由于芯片是封在器件里面的无法检测,设计产品时器件的型号和封装及散热条件也已确定,所以我们只能通过测量器件在大电流时的通态压降来检验器件的质量好坏,为此我们也必须要学会看器件的基本参数,在众多参数中我们更要知道和输出电流、输出功率有关的参数。         
⑴、功率场效应管的内阻:Rds。如:(IRF3205在62A的条件下测试 Rds ≤0.008Ω)。         
⑵、IGBT管的饱和压降:Vce(sa

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