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便携式igbt测试设备-华科智源

产品时间:2020-11-05

简要描述:

便携式igbt测试设备-华科智源静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅极漏电流

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便携式igbt测试设备-华科智源

  1. 物理规格

设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)cm

质量:30kg

  1. 环境要求

海拔高度:海拔不超过 1000m; 储存环境:-2050

工作环境:1540

RH (无凝露,湿球温度计温度: 40以下)

大气压力:86Kpa106对湿度:20%RH ~ 75%Kpa

防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;

  1. 水电气

用电要求:AC220V,±10%; 电网频率:50Hz±1Hz
 

四、便携式igbt测试设备-华科智源基础能力

 

  1. 测试电压范围0-±5000V
  2. 测试电流范围0-±1600A
  3. 测试栅极电压范围:0-±100V
  4. 电压分辨率:0.1mV
  5. 电流分辨率:0.1nA

 

五、测试种类及参数

 

  1. Diode支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降;

 

  1. MOSFET支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 静态参数:BVDSS/漏源极击穿电压,VGS(th)/栅极开启电压,IDSS漏源极漏电流、VF/二极管正向压降;Rdson 内阻

 

  1. IGBT单管及模块支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅极漏电流


 

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