更新时间:2022-02-24
便携式igbt静态参数测试仪自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传局域网轨道级IGBT模块动态参数测试仪具有 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。
轨道级IGBT模块动态参数测试仪厂家直供。
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
二、便携式igbt静态参数测试仪产品特点
三、便携式igbt静态参数测试仪测试能力
夹断电压 VP
HPD,HP1,HP2,双面散热等封装形式的汽车级模块
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
参数/条件 | ||||||
参 数 | ENJ 35200 IGBT | ENJ 30200 IGBT | ||||
静态参数自动测试系统 | 静态参数手动测试系统 | |||||
条 件 | ||||||
栅极-发射极漏电流IGES | ||||||
IGES: 0.1-10uA±3±0.1uA | ||||||
集电极电压VCE: 0V | ||||||
栅 极 电 压 VGE: 20V ±3±0.2V | ||||||
集电极-发射极电压BVCES | ||||||
集电极电压VCES: 100-3500V±5±10V(选配) | ||||||
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA | 100-3500V±5±10V | 100-3000V±5±10V | ||||
栅 极 电 压 VGE: 0V | ||||||
集电极发射极饱和电压VCESAT | ||||||
VCESAT:0.1-10V | ||||||
栅极电压 V G E : ±15V±2±0.2V | ||||||
集电极电流ICE:10-200A±5(选配) | 10-200A±5 | 10-200A±5 | ||||
集电极-发射极截止电流ICES | ||||||
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA | 100-3500V±5 | 100-3000V±5 | ||||
集电极电压VCE: 100-3500V±5(选配) | ||||||
栅 极 电 压V G E : 0V | ||||||
栅极-发射极阀值电压测试VGETH | ||||||
VGETH: 0.1-10V±3±0.1V | ||||||
VGE=VCE | ||||||
集电极电流ICE: 30mA±3 | ||||||
二极管压降测试VF | ||||||
VF: 0.1-5V±3±0.01V | ||||||
栅极电压VGE: 0V | ||||||
电 | 流 I F :10-200A±5(选配) | 10-200A±5 | 10-200A±5 | |||
导通电流 IC:10-200A±5 | ||||||
栅极电压VGE:±15V±0.2V |