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大功率sic静态参数测试仪

更新时间:2020-11-03

简要描述:

大功率sic静态参数测试仪解决了用普通耐压表测场效应管静穿的问题。能测场效应管,IGBT管,和普通管的耐压。现把管子上的耐压值改高改假的很多,假MOS管,假场效应管和假IGTB到处存在,此测试仪是*好帮手。本仪器保修一年(3P元器件插座不保修)。在保修期间,免来回运费。(使用AC220V交流电源)

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大功率sic静态参数测试仪解决了用普通耐压表测场效应管静穿的问题。能测场效应管,IGBT管,和普通管的耐压。现把管子上的耐压值改高改假的很多,假MOS管,假场效应管和假IGTB到处存在,此测试仪是*好帮手。本仪器保修一年(3P元器件插座不保修)。在保修期间,免来回运费。(使用AC220V交流电源)

大功率sic静态参数测试仪测试范围

大功率sic静态参数测试仪系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数:其测试范围如下:

1)栅极-发射极漏电流测试                     VGESIGES

2)栅极-发射极阈值电压测试                   Vgeth

3)集电极-发射极电压测试测试                 VCESICES

4)集电极-发射极饱和电压测试测试             Vgesat)、IC

5)二极管压降测试测试                        VFIF

6)二极管反向可恢复直流电压测试          VRIR

 

功能单元

参数指标

 

基本参数

功率源:5000V/1600A

 

栅极-发射极漏电流

IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA

 

IGES

集电极电压VCE: 0V

 

栅极电压 Vge: 5-40V±3±0.1V

 
 

 

 

集电极电压VCES: 200-3000V±2±10V

 

集电极-发射极电压

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

 

栅极电压 Vge: 0V

 

集电极-发射极饱和

VCESat:0.1-5V±2±0.01V

 

电压VCESat

栅极电压Vge: ±15V±2±0.2V

 

集电极电流ICE: 10-100A±2±1A

 
 

 

集电极-发射极截止

集电极电压VCE: 200-3000V±3

 

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

电流ICES

 

栅极电压VGE: 0V

 
 

 

栅极-发射极阈值电

VGEth: 1-10V±2±0.1V

 

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