更新时间:2020-11-02
华科智源替代大功率ITC57300的参数测试仪IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
华科智源替代大功率ITC57300的参数测试仪
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
,华科智源替代大功率ITC57300的参数测试仪该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1600A和集电极电压不超过5000V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过1600A的二极管反向恢复特性的测试。
一、产品简述
TRd 2015系列是一款专门针对汽车级IGBT模块的低电感动态特性测试系统,提供30nH以内系统寄生电感,2000A/1500V动态输出能力,5500A短路电流, 200度高温平台,适用于HPD,HP1,HP2,double side cooling等封装形式的汽车级模块。
二、产品特点
三、测试能力
夹断电压 VP
HPD,HP1,HP2,双面散热等封装形式的汽车级模块
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件