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华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪

产品时间:2020-11-02

简要描述:

华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪产品优势:性价比高,可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。

服务领域:轨道交通、电动汽车、电力电子、航天、中船、科研高校等。

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华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪业务范围:大功率半导体测试系统研发、生产、销售及服务支持,同时还承担着同类进口产品的售后维修服务,测试技术服务。

华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪产品优势:性价比高,可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。

服务领域:轨道交通、电动汽车、电力电子、航天、中船、科研高校等。

 

功能单元

参数指标

 

基本参数

功率源:5000V/1600A

 

栅极-发射极漏电流

IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA

 

IGES

集电极电压VCE: 0V

 

栅极电压 Vge: 5-40V±3±0.1V

 
 

 

 

集电极电压VCES: 200-3000V±2±10V

 

集电极-发射极电压

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

 

栅极电压 Vge: 0V

 

集电极-发射极饱和

VCESat:0.1-5V±2±0.01V

 

电压VCESat

栅极电压Vge: ±15V±2±0.2V

 

集电极电流ICE: 10-100A±2±1A

 
 

 

集电极-发射极截止

集电极电压VCE: 200-3000V±3

 

集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

电流ICES

 

栅极电压VGE: 0V

 
 

 

栅极-发射极阈值电

VGEth: 1-10V±2±0.1V

 

Vce=15V

 

 

 

二极管压降测试

VF: 0.1-5V±2±0.01V

 

IF:5-100A±2±1A

 
 

 

 

Vge: 0V

 

反向击穿BVR

BVR:200-3000V±2±10V

 

反向漏电流IR

IR:0.1-10mA±3±0.01mA

 

 

 

导通电阻RDS(on)

1-10mΩ±2±0.1 mΩ

 

10-50mΩ±2±0.5 mΩ

 

 

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