更新时间：2020-11-02
华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪产品优势：性价比高，可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。服务领域：轨道交通、电动汽车、电力电子、航天、中船、科研高校等。
华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪业务范围：大功率半导体测试系统研发、生产、销售及服务支持，同时还承担着同类进口产品的售后维修服务，测试技术服务。
华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪产品优势：性价比高，可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。
服务领域：轨道交通、电动汽车、电力电子、航天、中船、科研高校等。
功能单元 | 参数指标 |
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基本参数 | 功率源：5000V/1600A |
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栅极-发射极漏电流 | IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA |
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IGES | 集电极电压VCE: 0V |
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栅极电压 Vge: 5-40V±3±0.1V | ||
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集电极电压VCES: 200-3000V±2±10V |
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集电极-发射极电压 | 集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA |
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栅极电压 Vge: 0V |
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集电极-发射极饱和 | VCESat:0.1-5V±2±0.01V |
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电压VCESat | 栅极电压Vge: ±15V±2±0.2V |
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集电极电流ICE: 10-100A±2±1A | ||
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集电极-发射极截止 | 集电极电压VCE: 200-3000V±3 |
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集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA | ||
电流ICES | ||
栅极电压VGE: 0V | ||
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栅极-发射极阈值电 | VGEth: 1-10V±2±0.1V |
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压 | Vce=15V |
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二极管压降测试 | VF: 0.1-5V±2±0.01V |
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IF:5-100A±2±1A | ||
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Vge: 0V |
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反向击穿BVR | BVR：200-3000V±2±10V |
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反向漏电流IR | IR：0.1-10mA±3±0.01mA |
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导通电阻RDS（on） | 1-10mΩ±2±0.1 mΩ |
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10-50mΩ±2±0.5 mΩ |
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