更新时间：2020-10-31
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。华科智源IGBT测试仪设备该设备是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电
功率器件综合测试系统
系统特征
测试范围广（19总大类，27分类）
华科智源IGBT测试仪设备升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至5000v，1600A
采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS
被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏
真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）
系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障
二极管极性自动判断功能，无需人工操作
华科智源IGBT测试仪设备测试参数
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEOBVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
