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IGBT功率器件动态参数测试仪

更新时间:2020-02-10

简要描述:

IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试,包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),功率MOSFET,二极管,双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析,可执行电阻和电感的开关时间,开关损耗,栅极电荷,TRR /的Qrr和其他瞬态测试。

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IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试,包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),功率MOSFET,二极管,双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析,可执行电阻和电感的开关时间,开关损耗,栅极电荷,TRR /的Qrr和其他瞬态测试。

IGBT功率器件动态参数测试仪概述

  • 测试电压:zui大1200 VDC 200(短路电流可达1000A)
  • 定时测量:zui低为1 ns
  • 漏电流限制监视器
  • -  MOSFET开关时间测试, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
    -  Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
    -  MOSFET栅电荷Qg测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  IGBT感性开关时间测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
    -  IGBT短路耐量测试,Max ISC=1000A

    测试标准: 
    - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项

  • 额外的电源供应器
  • 额外的测试头
  • 大包装适配器

ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头

  • ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472开关时间
  • ITC57220 - TRR /电源,MOSFET和二极管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
  • ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
  • ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT,MIL-STD 750方法3477
  • ITC57250 - (ISC)短路耐受时间,MIL-STD-750方法3479

 

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