更新时间：2020-02-10
半导体分立器件测试仪升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A;采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS.
半导体分立器件测试仪基础配置：
技术参数 | ENJ2005-B型 |
主极电流 | 100nA-50A |
扩展电流 | 100A、500A、1000A、1300A |
电压分辨率 | 1mV |
电流分辨率 | 1nA(可扩展至10pA) |
测试精度 | 0.2%+2LSB |
测试速度 | 0.5mS/参数 |
半导体分立器件测试仪
是专为测试半导体分立器件和大功率半导体模块器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
序号 |
测试元件类别 |
别称 |
1 | 二极管 | DIODE |
2 | 晶体管 | TRANSISTOR（NPN型/PNP型） |
3 | J型场效应管 | J-FET |
4 | MOS场效应管 | MOS-FET |
5 | 双向可控硅 | TRIAC |
6 | 可控硅 | SCR |
7 | 绝缘栅双极大功率晶体管 | IGBT |
8 | 硅触发可控硅 | STS |
9 | 达林顿阵列 | DARLINTON |
10 | 光电耦合 | OPTO-COUPLER |
11 | 继电器 | RELAY |
12 | 稳压、齐纳二极管 | ZENER |
13 | 三端稳压器 | REGULATOR |
14 | 光电开关 | OPTO-SWITCH |
15 | 光电逻辑 | OPTO-LOGIC |
16 | 金属氧化物压变电阻 | MOV |
17 | 固态过压保护器 | SSOVP |
18 | 压变电阻 | VARISTOR |
19 | 双向触发二极管 | DIAC |
