产品展示
PRODUCT DISPLAY
产品展示您现在的位置: 首页 > 产品展示 > 其他测试仪 > 雪崩能量测试仪 >雪崩能量测试仪

雪崩能量测试仪

产品时间:2020-02-10

简要描述:

雪崩能量测试仪主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行zui终的编辑和打印。

在线咨询 点击收藏

雪崩能量测试仪功能指标:

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压
1000V 

IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

电流
200A

MOSFETs
MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量 

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA 
2A~200A±3%±50mA

 

DIODEs
二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J 
500J~2000J±3%±10J

  

PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)

   

感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

   

重复间隙时间 

1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次

雪崩能量测试仪​测试模式

单脉冲松开电感的开关(UIS)

单脉冲雪崩应力(EAS)

重复性雪崩能量(EAR)

重复脉冲故障(RPF)

 

执行的测试

连续性测试装置的插座和/或接触

DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试

- 前,后的雪崩

功能设备测试

雪崩测试

 

特点

单路/双路设备测试

N沟道,P沟道,混合

全固态切换 - 无需继电器

更快的测试

电流范围:0.1A至200A,0.1A步骤

雪崩电压至2500V

触摸屏程序进入/控制

波形捕获/显示

内部测试程序存储(20个文件)

高速电感充电,减少了测试时间

可编程漏电测试电压

前置/后置雪崩泄漏测试

雪崩折叠测试

多功能测试处理器控制

15硬件排序箱

改进的电压/电流精度

通过Flash下载软件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制参数输入密码

使用所有ITC电感负载箱

接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF

内置自我测试

 

留言框

  • 产品:

  • 留言内容:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 详细地址:

  • 省份:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
联系方式
  • 电话

  • 传真

在线客服