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大功率IGBT测试仪厂家

更新时间:2020-02-10

简要描述:

大功率IGBT测试仪厂家目前主要研发生产的设备有 IGBT动静态参数测试设备(7000V-4000A),

功率半导体分立器件综合测试系统,晶体管图示仪 ,

IPM测试系统,热阻 / 雪崩能量 / 浪涌 / 栅电荷 测试系统,

以及制定针对功率半导体器件的测试解决方案

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大功率IGBT测试仪厂家​大功率IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统 

● 大功率(I V zui大可扩展至4500A、6000V)
● 自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作) 
● 计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL存储 
● 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点 
● 测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块) 

大功率IGBT测试仪厂家:华科智源

型号:HUSTEC30200

名称: 大功率IGBT测试仪参数及价格

描述: 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统 大功率可达(I V zui大可扩展至4500A、6000V)

 

 

大功率IGBT测试仪参数条件:

①栅极-发射极漏电流IGES

④集电极-发射极截止电流ICES

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

集电极电压VCE: 0V

集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)

栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V

栅极电压VGE:0V

②集电极-发射极电压BVCES

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配) 

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

VGE=VCE

栅极电压 VGE: 0V

集电极电流ICE: 30mA±3%

③集电极发射极饱和电压VCESAT

⑥二极管压降测试VF

VCESAT:0.1-10V

VF: 0.1-5V±3%±0.01V     

栅极电压VGE:±15V±2%±0.2V

栅极电压VGE:0V

集电极电流ICE:50-600A±5%(选配)

电流IF:50-600A±5%(选配)

 

导通电流IC: 50-600A±5%

 

栅极电压VGE: ±15V±0.2V

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