更新时间:2019-01-11
华科智源专业提供IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪,IGBT模块测试系统,提供IGBT单管及模块的动静态测试仪,雪崩能量测试仪。该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过特制测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。大功率IGBT动态参数测试系统-华科智源
大功率IGBT动态参数测试系统-华科智源
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过特制测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
2、
3、系统基本参数
3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;
3.2 加热功能:室温~150℃;
3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;
3.4 环境温度:25℃±15℃;
3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;
4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A 感性负载;
4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;
4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);
4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);
(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH(感性动态测试)。
5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;
5.2 大电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;
外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;
6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;
6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;
6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);
6.5 电压开关时间: < 50ns;
6.6 输出内阻: < 0.5Ω;
7、测量配置
7.1 示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速电流探头;
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );
8.2 关断:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);
8.3 反向恢复 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模块)测试:0-20KΩ;
8.8 大功率IGBT动态参数测试系统-华科智源主要测试参数精度偏差 :< 3 % 。
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来保证操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。
9.2 有急停按钮,当急停按钮被按下时,迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能,在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups,保证计算机系统在电网短时间掉电情况下,为系统供电0.5小时以上,确保系统及数据安全。