功率半导体参数测试仪系统特征:
● 测试范围广(19大类,27分类)
● 采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)
● 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障
功率半导体参数测试仪基础配置:
技术参数 | ENJ2005-B型 |
主极电流 | 100nA-50A |
扩展电流 | 100A、500A、1000A、1300A |
电压分辨率 | 1mV |
电流分辨率 | 1nA(可扩展至10pA) |
测试精度 | 0.2%+2LSB |
测试速度 | 0.5mS/参数 |
分立器件测试仪测试参数:
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO (Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-
产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势,将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等;
深圳华科智源科技有限公司-,功率器件测试方案供应商,2025中国制造 • 芯片设计及封装 • 新能源及轨道交通 • 来料选型。