功率半导体参数测试仪

功率半导体参数测试仪系统特征：

● 测试范围广（19大类，27分类）
● 采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际值偏差很大）
● 系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障

功率半导体参数测试仪基础配置：

分立器件测试仪测试参数：

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、     IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
                BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO    (Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF      
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-

产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等；

深圳华科智源科技有限公司-，功率器件测试方案供应商，2025中国制造 • 芯片设计及封装 • 新能源及轨道交通 • 来料选型。