更新时间：2019-01-11
雪崩能量测试仪系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达2000J。
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩能量测试仪测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行终的编辑和打印。
HUSTEC2020 雪崩能量测试仪
功能指标：
| 配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 | |
| 电压 | IGBTs | EAS/单脉冲雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V |
| 电流 | MOSFETs | EAR/重复脉冲雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA |
| DIODEs | IAS/单脉冲雪崩电流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J | |
| PAS/单脉冲雪崩功率 | IC检测 | 50mV/A（取决于传感器） | |||
| 感性负载 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 | ||||
| 重复间隙时间 | 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次 | ||||
