IGBT是电机驱动部分核心的元件，主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统和充电系统。所以IGBT的研发、生产、测试往往需要严格的把控检查。

　　检修用IGBT测试仪根据工作特性分为两类：静态特性和动态特性。

　　IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似，也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。无N+缓冲区，则正反向阻断电压做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，限制了IGBT的某些应用范围。转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs的关系曲线。它与MOSFET的转移特性，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。

　　IGBT的动态特性又称为开关特性，动态特性需配合示波器测试上升时间等参数。在开通过程中，大部分时间是作为mosfet来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期，pnp晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成，IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为mosfet关断后，pnp晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv十t(f)式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。