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检修用IGBT测试仪的静态特性和动态特性
  • 发布日期:2022-08-26      浏览次数:50
    •   IGBT是电机驱动部分核心的元件,主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统和充电系统。所以IGBT的研发、生产、测试往往需要严格的把控检查。
        检修用IGBT测试仪根据工作特性分为两类:静态特性和动态特性。
        IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似,也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。无N+缓冲区,则正反向阻断电压做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,限制了IGBT的某些应用范围。转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs的关系曲线。它与MOSFET的转移特性,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。
        IGBT的动态特性又称为开关特性,动态特性需配合示波器测试上升时间等参数。在开通过程中,大部分时间是作为mosfet来运行的,只是在漏源电压uds下降过程后期,pnp晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成,IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为mosfet关断后,pnp晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv十t(f)式中,td(off)与trv之和又称为存储时间。
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