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简单介绍下便携式IGBT测试仪测试的基础知识
  • 发布日期:2022-03-26      浏览次数:225
    •   便携式IGBT测试仪测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数,便携式IGBT测试仪厂家, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。
        半导体元件全自动测试系统,可以元件在工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有单独的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
        当功率元件老化时,元件的内阻在导通时---会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。长期使用后若温升过高时,会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加),进而使半导体的接口产生大量崩溃,而将此元件完全烧毁。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,需要即早发现更换。
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