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准确测量IGBT的各种静态参数具有重要的实际意义
  • 发布日期:2021-10-25      浏览次数:66
    •   半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。针对IGBT而言,IGBT是广泛应用于现代中大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中,城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中,大量使用了IGBT器件,IGBT器件的各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据,因此准确测量IGBT的各种静态参数具有重要的实际意义。
        那么IGBT有哪些静态参数?
        1、BVCES:在栅极 G 和发射极 E 短路时,在加一定的 IC 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的击穿电压。
        2、ICES:在栅极 G 和发射极 E 短路时,在加一定的 VCE 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的漏电流。
        3、IGES:在集电极 C 和发射极 E 短路时,在加一定的 VGE 下,IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间的漏电流。
        4、VGE(TH):在一定的 IC 下,IGBT 的开启电压。
        5、VCE(SAT):在栅极 G 和发射极之间加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的饱和压降。
        6、VF:在一定的 IE 下,续流二极管的电压降。
        要判断一个IGBT器件的好坏,就需要使用IGBT静态参数测试仪对以上这些参数进行测试,测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较,在范围之内就合格,否则不合格。
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