华科智源IGBT静态参数测试仪，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了。

    IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等，这些测试中zui基本的测试就数静态参数测试，只有保证IGBT的静态参数没有问题的情况下，才进行像动态参数（开关时间、开关损耗、续流二极管的反向恢复）、短路、热阻方面进行测试，所以这里华科智源先介绍下IGBT的静态参数测试，

   要进行IGBT静态参数测试，首先就要了解IGBT有哪些静态参数，IGBT静态参数有BVCES, ICES, IGES, VGE(TH), VCE(SAT), VF等。
BVCES：在栅极G和发射极E短路时，在加一定的IC下，IGBT的集电极C和发射极E之间的击穿电压。
ICES:在栅极G和发射极E短路时，在加一定的VCE下，IGBT的集电极C和发射极E之间的漏电流。
IGES:在集电极C和发射极E短路时，在加一定的VGE下，IGBT的栅极G和发射极E之间的漏电流。
VGE(TH):在一定的IC下，IGBT的开启电压。
VCE(SAT):在栅极G和发射极之间加一定的VGE(大于VGE(TH)),一定的IC下，IGBT的集电极C和发射极E之间的饱和压降。
VF:在一定的IE下，续流二极管的电压降。
要判断一个IGBT器件的好坏，就需要对以上这些参数进行测试，测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较，在范围之内就合格，否则不合格。

   那怎么才能测出IGBT这些参数的结果呢？这就需要根据器件的datasheet中的电气特性中所给出的测试条件，用一些电压源、电流源来满足这些测试条件，并把这些条件加到IGBT的端子上，然后用电压表、电流表来测出值来。这种测试方法有一个弊端就是效率低，测一个参数，就要手动去接一次线，测六个参数就要接六次线，测试一个IGBT器件就要做这么多的工作，所以这种方法费时、费力，不推荐用这种方法。
   测试IGBT还是要用专业的测试设备，这里我推荐一种IGBT的测试设备，就是华科智源产的IGBT静态参数测试系统，这个测试设备能达到电压5000V,电流1600A。测试的种类也比较多，可以测IGBT单管，IGBT模块，半桥模块，全桥模块，双单元模块，四单元模块，六单元模块，七单元模块。针对每一个IGBT的测试，都是一次编程，终身使用，来了一个新品种的IGBT，就要对它进行一次编程，后期都是对程序调用来使用的，使用非常的方便。编程就是对要测的参数和测试条件来编程，每一次编程都可以把以上介绍的6个参数全编进去，然后测试，一次性把6个参数全部测试完成，也可以单步测试，还可以每次编程只编一个参数或者6个参数中其中几个参数，非常的灵活，测试结果的保存在电脑硬盘中，不存在关机后测试数据丢失的问题，而且机器自动判断器件的好坏，不需要人工判断，满足了各种使用者的各种需求。所以说华科智源IGBT静态参数测试系统这款设备功能强大，使用灵活方便。这个设备不仅可以用在高铁，地铁检修段的牵引变流器中的IGBT检修，在IGBT封装厂，在风力发电，在电焊机，在逆变器变频器等领域都能够发挥它的功效。

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