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简单介绍雪崩能量测试仪的原理
  • 发布日期:2022-10-22      浏览次数:45
    •   分立器件作为在电力电子行业中应用广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。雪崩能量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、二极管雪崩耐量的测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、二极管的雪崩耐量。该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。主要用于IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。
        向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。
        通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级中会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生很高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
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