分立器件作为在电力电子行业中应用广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。雪崩能量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、二极管雪崩耐量的测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、二极管的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。主要用于IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。

　　向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。

　　通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生很高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。