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igbt模块可通过控制UGE的大小来实现阻断状态
  • 发布日期:2022-07-23      浏览次数:18
    •   IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。损坏的IGBT模块要分析失效原因,或者外观完好的模块要判断是否有异常,在缺乏专门仪器的情况下,数字万用表作为常用工具,可以帮助我们快速判别IGBT好坏,这时一般会用到万用表的二极管档、电阻档、电容档。值得注意的是,万用表的测试数据并不具有通用性,只能作为参考依据。
        以常见的62mm封装IGBT模块为例,其内部由IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片、FWD(续流二极管)芯片、邦定线等构成,部分大电流模块还需由多组芯片进行组合。在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。
        1、当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。
        2、当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
        3、当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:
        ②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。
        ②若栅-射极电压UGE>Uth,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。
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