IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。损坏的IGBT模块要分析失效原因，或者外观完好的模块要判断是否有异常，在缺乏专门仪器的情况下，数字万用表作为常用工具，可以帮助我们快速判别IGBT好坏，这时一般会用到万用表的二极管档、电阻档、电容档。值得注意的是，万用表的测试数据并不具有通用性，只能作为参考依据。

　　以常见的62mm封装IGBT模块为例，其内部由IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片、FWD（续流二极管）芯片、邦定线等构成，部分大电流模块还需由多组芯片进行组合。在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

　　1、当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

　　2、当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

　　3、当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

　　②若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

　　②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。